「XL-FLASH」技術とQLC方式フラッシュを組み合わせたストレージ、オールTLC方式フラッシュのストレージ、DRAMキャッシュとHDDを組み合わせたストレージで平均遅延時間を比較。縦軸は遅延時間(対数目盛りであることに注意)、横軸はアクセスの局所性(左が強く、右が弱い)。東芝メモリによる基調講演のスライドを撮影したもの
