トランジスタ(MOS FET)を出発した電気信号が、別のトランジスタ(MOS FET)に到着するまで(模式図)。MOS FETのソース/ドレインからコンタクト、第1層金属配線と第2層金属配線を経由して別のトランジスタのゲートに至るまでの経路を図示した。コンタクト、ビア、配線の金属はいずれもコバルト。なお、製造装置ベンダーのApplied Materialは、最先端ロジック量産でのコバルト採用に備え、コバルト専用の成膜装置(PVD装置とCVD装置)や平坦化装置、アニール装置などを開発し、2018年6月5日に発表している

トランジスタ(MOS FET)を出発した電気信号が、別のトランジスタ(MOS FET)に到着するまで(模式図)。MOS FETのソース/ドレインからコンタクト、第1層金属配線と第2層金属配線を経由して別のトランジスタのゲートに至るまでの経路を図示した。コンタクト、ビア、配線の金属はいずれもコバルト。なお、製造装置ベンダーのApplied Materialは、最先端ロジック量産でのコバルト採用に備え、コバルト専用の成膜装置(PVD装置とCVD装置)や平坦化装置、アニール装置などを開発し、2018年6月5日に発表している