従来の3D NANDフラッシュ技術(Samsungが開発してきたV-NAND技術)とZ-NAND技術の比較。tRは読み出しレイテンシ(メモリセルアレイからデータを出力バッファに転送するまでの時間)、tPROGは書き込みレイテンシ(入力バッファのデータをメモリセルアレイに書き込むまでの時間)である ※ISSCC 2018でSamsungが発表した論文から
