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EUVリソグラフィによって加工したパターンの例。サイズは公表していない。GLOBALFOUNDRIESが国際学会IEDM 2017で発表した論文から
Samsung、歩留まり良好な8nm FinFETの量産準備完了
2017年10月20日
Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表
2017年6月8日
連載福田昭のセミコン業界最前線
「ムーアの法則は揺るがない」、Intelが公表した10nmのプロセス技術
2017年4月14日
次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表
2017年2月16日
両極端に分かれたIBMとTSMCの次々世代半導体製造技術
2016年12月9日
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