開発したCMOSイメージセンサーの断面を電子顕微鏡で観察した画像。OCLはオンチップマイクロレンズ(on chip micro lens)。PSDの周期は400nm、DTIの幅は250nm以下、深さは約2μm。シリコン光吸収層の厚みは約3μm。画素の寸法は1.12μm角。画素数は200万画素。IEDM実行委員会が報道機関向けに発表した資料から
