CMOSイメージセンサーの断面構造と分解能の関係。縦軸は分解能。上に行くほど、分解能が高いことを示す。横軸は断面構造。左(FLAT)は従来構造。中央(PSD)はピラミッド形の回折格子を導入した構造。右(PSD+DTI)はピラミッド形回折格子と深い溝による画素分離を組み合わせた構造。ソニーセミコンダクタソリューションズが国際学会IEDM 2017で発表した論文から

CMOSイメージセンサーの断面構造と分解能の関係。縦軸は分解能。上に行くほど、分解能が高いことを示す。横軸は断面構造。左(FLAT)は従来構造。中央(PSD)はピラミッド形の回折格子を導入した構造。右(PSD+DTI)はピラミッド形回折格子と深い溝による画素分離を組み合わせた構造。ソニーセミコンダクタソリューションズが国際学会IEDM 2017で発表した論文から