「プレーナ(Planar) 3D ReRAM」技術で記憶密度を高める方法。クロスポイント型のセルアレイ層を2層から4層、さらには8層へと増やす。積層数が増えるごとに、微細加工(成膜とエッチング、埋め込み)のステップ数が増加し、製造コストが増大する 出典: MicronのIEDM 2017講演スライド
