作製した光電子集積回路の電子顕微鏡写真。左上(a)はInGaAs化合物半導体nチャンネルFETのゲートスタックとチャンネル部分の断面。右上(b)はInGaAs化合物半導体nチャンネルFETのゲート電極とゲート絶縁膜の断面。(a)と比べて10倍に拡大している。左下(c)はGaAs化合物半導体レーザーの断面。AlGaAs層をクラッド層とするGaAs/AlGaAs量子井戸(QW)レーザーである。右下(d)は量子井戸(QW: Quantum Well)部分の断面。(c)と比べて50倍に拡大している ※いずれもVLSI技術シンポジウムの論文集から