国立シンガポール大学を中心とする共同研究グループが開発した、光電子集積回路の構造。左端(a)は全体の俯瞰図。シリコン基板上にGaAs化合物半導体レーザーを作製し、さらにその上にInGaAs化合物半導体nチャンネルFETを作成する。その右(b)は上面図。化合物FETのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極が左半分を超える領域を覆う。ドレイン電極が右側の化合物レーザー電極(ダイオードのn側電極)につながる。上面図の右側にある縦長の黒い長方形は、レーザーを上から見たところ。4つの図面の中で右側の2つは化合物デバイスの断面図。左側(c)はFETの断面構造、右側(d)はレーザーの断面構造である ※いずれもVLSI技術シンポジウムの論文集から