SRAMのメモリセル面積と周辺回路単位面積の推移。ArF液浸マルチパターニングリソグラフィの時代(22nm～サブ10nm)は、周辺回路はメモリセルに比べると加工寸法が緩く、シリコン面積がはるかに大きかった。EUVリソグラフィの導入によって周辺回路を大幅に小さくできたため、7nm世代では両者の差が大きく縮まった。ISSCCの講演スライドから引用した
