STT-MRAMの開発トレンド線。縦軸は、記憶容量当たりのシリコン面積、横軸はメモリセル面積である。今回の開発成果は過去に学会発表されたSTT-MRAMのトレンド線よりも高い密度を達成しているが、DRAMの密度にはおよばない。ISSCC 2017の講演スライドから引用した
