SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM(2/6)

メモリセルの断面構造図。昨年12月に開催された国際学会「IEDM 2016」で発表した図面がベース。IEDM 2016では、メモリセルの寸法は公表されていなかった