512Gbit 3D NANDフラッシュのシリコンダイ写真。左がSamsung Electronicsの試作品、右がWD-東芝連合の試作品。ISSCC 2017の発表内容を筆者がまとめたもの。なお、写真の縮尺は左右で一致していないので、注意されたい
