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3D NAND技術による512Gbitダイの概要。ISSCC 2017の発表内容を筆者がまとめたもの。両者が開発したシリコンダイの概要は、かなり似ていることが分かる
WD、世界初の512Gbit TLC 64層3D NANDをパイロット生産開始
2017年2月7日
連載福田昭のセミコン業界最前線
記憶容量拡大の階段を急速に駆け上がる3D NANDフラッシュ
2016年8月19日
3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ
2017年5月17日