IBMがスピン注入メモリの20周年記念イベントを開催した裏(9/10)

代表的な磁気トンネル接合(MTJ)と電気抵抗の模式図。左は磁化の向きが同じ場合。電気抵抗が低い。右は磁化の向きが反対の場合。電気抵抗が高い