スピン注入メモリ(STT-MRAM)の研究開発における重要な業績を年代順にまとめたイラストレーション。左から右へ、デバイス(Device)、書き込み(Write)、読み出し(Read)、微細化(Scaling)の順番で重要な研究成果を示している。IBM Research Blogの2016年7月7日付けエントリーから
