CNTの電子顕微鏡写真。左上がセット動作時の電圧条件、右上がCNTの拡大図。白い点線で囲んだ部分が隣接するCNTが接触した部分。記憶セルの抵抗値は約800kΩ。左下はリセット動作時の電圧条件、右下がCNTの拡大図。白い点線で囲んだ部分で、隣接するCNTが離れている。記憶セルの抵抗値はおよそ1GΩと高い ※中央大学とNanteroの共著論文『IEEE Transactions on Electron Devices(vol.6, no.9), Sept 2015』から
