FMS展示会のSK Hynixブースに実物展示されたシリコンウェハ(左上の「Raw NAND」と表示された部分)。左が7x層の3D NANDフラッシュ技術(3D V4技術)、右が48層の3D NANDフラッシュ技術(3D V3技術)によるウェハ。記憶容量はいずれも256Gbit、シリコンウェハの直径はいずれも300mm
