WD、1セルあたり4bit記録を実現した3D NAND

　米Western Digital(WD)は24日(現地時間)、BiCS3技術に基づき、1セルあたり4bit(Four bits per cell)の記録を実現した64層の3D NANDを開発したと発表した。

　過去に2D NANDで1セルあたり4bitの記録を実現していたが、3D NANDでも実現することで、さらなる大容量化を実現する。これにより、1チップで768Gbitの記録を実現し、1セルあたり3bit記録の製品と比較して50%の容量増を達成した。

　WDではこの技術を採用したSSD、およびリムーバブルの製品を、8月にカリフォルニア州サンタクララで開催されるFlash Memory Summitで展示する。また、将来的には96層のBiCS4技術に基づいた製品も展開する予定としている。