記憶素子の製造工程(左)と、試作した記憶素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像(中央と右)。記憶素子の円柱部分の直径は約62nm。SOT層の幅は約210nm、SOT層の材料はβ相のタングステン(W)である。IMW 2019の論文集から
