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磁気トンネル接合(MTJ)の磁化方向と電気抵抗
福田昭のセミコン業界最前線
高速/長寿命でオンチップSRAMキャッシュの置き換えを目指す第4世代MRAM技術
2018年10月1日
連載福田昭のセミコン業界最前線
プロセッサのキャッシュにMRAMを使う
2012年7月9日
SRAMの代替になる不揮発性SOT-MRAMの実用化で大きく前進
2019年12月10日
東北大ら、有機分子のスピン移行に初めて成功
2019年12月13日
東大、ワイル粒子を用いた不揮発性メモリの動作原理を実証
2020年4月21日