96層の3D NAND技術「BiCS4」。ワード線の積層数を既存世代の3D NAND技術「BiCS3」に比べて1.5倍に増やした。この技術「BiCS4」で、シリコンダイ当たり1Tbitの超大容量を狙えるとする ※2017年FMSキーノート講演でWestern Digitalが示したスライドから
