パナソニック、ReRAMの書き換え回数を120万回と10倍以上に伸ばす(5/7)

ReRAMの構造。左からメモリセルアレイ、メモリセルの断面構造(1T1R方式)、記憶素子の電子顕微鏡観察像。IMW 2017の発表論文から