SK Hynix、6GbitのLPDDR3メモリ

　韓SK Hynixは30日(現地時間)、6GbitのLPDDR3モジュールを開発したと発表した。すでにサンプル出荷を開始しており、量産は2014年初頭より開始する。

　20nm級プロセスの6Gbit LPDDR3。同社はすでに4Gbと8GbのLPDDR3を製品化しており、6Gbitとというのはメモリ容量として中途半端に思えるが、これを4枚積層することで1チップで3GBのメモリを構成できる。現在、ハイエンドAndroidスマートフォン/タブレットではメモリを3GBとするものが増えており、SK Hynixの新製品はそういった需要に対応できる。

　1.2V駆動が可能で、同社の4Gb品と比べ、動作電力と待機電流を30%削減。動作速度は1,866Mbpsで、32bitデュアルチャネル接続で帯域は14.8GB/secとなる。