米GLOBALFOUNDRIESは20日(現地時間)、3次元FinFETトランジスタを用いた14nm XM技術を発表した。

　「eXtreme Mobility」の略が表わすとおり、モバイル機器用SoCを想定し、20nm LPMプロセス要素と、14nm FinFETデバイスを組み合わせたモジュール技術。FinFETは、Intelが22nmプロセスで用いたのと同様の3次元トランジスタで、従来の2次元トランジスタよりリーク電流が少なく、低電圧動作が可能。現行の20nm2次元トランジスタと比べバッテリ寿命を40～60%改善できるという。

　現在、ニューヨークにあるFab8でテストチップの試作を進めており、顧客に対する製品テープアウトは2013年を予定。

　同社はARMとCortex-AシリーズSoCソリューション共同開発で合意している。この合意は延長され、今後のARM製品に今回の技術を適用していく。