ARMとCadence、Samsung向けの14nm FinFETチップをテープアウト

　英ARMと米Cadence Design Systems(Cadence)は12月20日(現地時間)、3次元FinFETトランジスタを採用した14nmプロセスのテストチップのテープアウト(設計完了)を発表した。

　Cadenceの「Encounter RTL-to-signoff flow」を用いて設計され、Samsungの14nmプロセスをターゲットにしている。テストチップは、ARM Cortex-A7をベースに、ARM Aristanスタンダード セル ライブラリ、次世代メモリや汎用IOを統合したもの。

　今回の発表はあくまでCadenceのソリューションを用いて“テストチップ”のテープアウトをしたことに主眼を置いたものだが、SamsungのSystem LSI infrastructure design center副社長のKyu-Myung Choi氏は「ARMとCadenceとの協業が、新しいモバイル向けプロセス技術の早期革新を可能にする」とニュースリリースへコメントを寄せており、次世代プロセッサの早期実現に期待がかかる。

　なお、Cadenceのソリューションを用いた14nm/FinFETのテストチップは、10月30日(同)にIBMもテープアウトさせている。また、IBM、SamsungとともにCommon Platformを組むGLOBALFOUNDRIESも「14nm XM」の開発を進めており、2013年中の製品テープアウトを予定している。