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Intel、3D NAND技術を採用したサーバー向けSSD「DC P3520/3320」
～NVMeデュアルポートの「DC D3700/3600」も追加
（2016/4/1 01:30）
米Intelは3月31日(現地時間)、データセンター/サーバー向け製品を発表した。プロセッサに関しては別記事で紹介している「Xeon E5 v4(開発コードネーム:Broadwell-EP)」が発表されているが、同時にサーバー向けのSSD製品が発表されている。
業界最高密度を実現した3D NANDフラッシュメモリを採用したP3520/3320
今回Intelが発表したのはデータセンター/サーバー向けのSSDのブランドになるIntel SSD DCシリーズのブランドを冠した、Intel SSD DC P3520/3320。既に投入されているIntel SSD DC P3700/3600/3500の下位製品という位置付けの製品になる。
最大の特徴は、IntelがMicron Technologyと共同で開発してきた、3D NANDフラッシュメモリを利用して作られていることだ。従来の2DのNANDフラッシュメモリは1つの層しか持たない形になっていたが、3D NANDでは縦方向に複数の層を積層し作られるため、2D NANDに比べて高密度を実現可能になる。
この3D NANDフラッシュメモリは、Samsung Electronics、東芝/SanDisk連合など他陣営に比べて高密度なのが特徴で、今回Intelも“業界最高密度”としてその点をアピールしている(なお、Intel/Micron連合の3D NANDの特徴は福田氏の記事が詳しいので、興味がある方はそちらをご参照頂きたい)。
フォームファクタは2.5インチHDDと同型のボックス型と、HHHL(x4)と呼ばれるPCI Express拡張カードと同じ形状の2つが用意されている。インターフェイスのプロトコルはいずれもNVM Expressになる。容量はHHHLが2TBと1.2TB、2.5インチはそれに加えて450GBが用意されている。
ピーク時の性能は、4KBランダムリードが365K IOPS、4KBランダムライトが22K IOPSになる。Intelによれば、NVMeを採用していることでSATAのボトルネックを回避し、NANDフラッシュメモリが持つ最大性能を発揮できるとのことで、SATA接続のIntel SSD DC S3510と比較して、4KBランダムリードで約5倍、レイテンシは1/4になるとしている。
価格などは現時点では未公表だが、P3320は第2四半期に、P3520は今夏に投入される予定だとIntelでは説明している。
デュアルポートNVMeにより冗長性とSASに比べて高性能を実現したD3700/3600
Intel SSD DC D3700/3600は、NVM Expressのインターフェイスを採用したPCI Express SSDになる。フォームファクタは2.5インチのみで、D3700が1.6TBと800GB、D3600が1TBと2TBのラインナップとなっている。
最大の特徴は、IntelのPCI Express SSDとしては初めて、データポートがデュアルになっていることだ。現在、サーバーなどでストレージの冗長性を実現する場合には、SAS(Serial Attached Scsi)のデュアルポート機能を利用して実現することが少なくない。しかし、SASは最新のSAS-3でも最大転送速度は12Gbpsに過ぎず、高速なSSDの場合にはそこがボトルネックとなっている場合が多かった。
そこで、Intel SSD DC D3700/3600ではNVM Expressのインターフェイスを採用し、かつデュアルポートとすることで、性能と冗長性の両方を実現している。Intelによれば4KBのランダムリードで、SAS SSDの3.9倍の性能を発揮できるとしている。
価格などは現時点では未公表だが、既にサンプル出荷を開始しており、製品は3カ月以内に出荷開始される予定だ。
