米Micron Technologyと韓国Samsung Electronicsは6日、新DRAMアーキテクチャである「Hybrid Memory Cube」(HMC)の開発と実装に向けたコンソーシアムの設立を発表した。

　HMCは、シリコン貫通ビア(TSV:Through Silicon Via)を採用した、積層チップ型メモリアーキテクチャ。伸び悩むDRAMのバンド幅、すなわち「メモリの壁」を突破し、エクサスケールコンピューティングに向けた性能の実現を目指している。

　資料によると、DDR3と比べ性能は15倍で、消費電力は7割削減される。また、積層型であるため、メモリ実装スペースも少なくてすむという。

　コンソーシアムでは両社が創設メンバーとなり、広く会員を募る。すでに、Altera、Open Silicon、Xilinxなどがフェロー開発者として参加している。