エルピーダメモリ株式会社は21日、30nmプロセスルールを採用した容量4GBのDDR3 SO-DIMM「EBJ41UF8BDS0」をサンプル出荷開始したと発表した。量産開始は2011年1月～3月期を予定している。

　チップに30nmプロセスを採用することにより、低コスト化と高性能化を両立させた。40nm品と比較して、実システム上で動作時電流を20%、待機時電流を30%削減し、世界最小レベルを達成した。また、最大1,866Mbpsのデータ転送速度を実現した。

　搭載されるメモリチップは2Gbit/8bit構成のDDR3 SDRAMで、これを16個搭載することで4GBの容量を実現。動作電圧は1.5V±0.075V、動作温度は0～95℃。