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書き換えサイクル寿命試験の結果。なお書き換えパルスの電流や電圧、時間などの条件は明示されていない。IMW2016の講演論文から引用した
IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現
2016年5月18日
【ISSCC 2012レポート】相変化メモリが記憶容量でDRAMを追い抜く
2012年2月21日
【IEDM 2011レポート】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争
2011年12月7日