150度の高温放置によるデータ保持特性のテスト結果。上のグラフ(a)はこれまでと同様の条件(クリチカル電流が50μA)で、データを書き込んだ場合。低抵抗状態(LRS)において抵抗値の著しい上昇が起きている。下のグラフ(b)は、クリチカル電流を100μAに増やして書き込みを強化した結果。LRSにおける抵抗値の上昇が抑えられている。なお、いずれもデータ書き込み後のベリファイ(検証と修正)動作は実施していない ※IMW2016の講演論文から引用した
