書き換えサイクル寿命のテスト結果。上のグラフ(a)は、25個のメモリセルに対して10の9乗サイクルまで書き換えを繰り返したときの抵抗値の変化。特に劣化は見られない。下のグラフ(b)は、ランダムに抜き出したメモリセルについて10の12乗サイクルまで書き換えを繰り返した結果。読み出しウインドウが維持されていることが分かる ※IMW2016の講演論文から引用した
