強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の原理。富士通の外部向けプレゼン資料から引用した。左の図は強誘電体キャパシタの構造。ここで登場する「PZT(チタン酸ジルコン酸鉛、Pb(Zr,Ti)O3)」は、代表的な強誘電体材料である。中央の図はPZTの結晶構造。結晶中央部のZrイオンあるいはTiイオンが電界印加によって上下に移動することで分極が発生する。右の図は印加電圧と分極量の関係
