FeRAMのチップ

2月9日　発表

　株式会社東芝は9日、不揮発性メモリとして世界最大容量の128Mbitで世界最速の転送速度1.6GB/secの性能を備える「FeRAM」を開発したと発表した。

　FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory/強誘電体メモリ)は、強誘電体の特性を利用した不揮発性半導体メモリ。今回開発されたFeRAMでは、チェーン構造を改良して省スペース化し、それに伴う信号量の低下を防ぐアーキテクチャを導入。これにより集積度をさらに高め、世界最大容量となる128Mbitを実現したという。

　また、データ転送時に生じる内部の電源供給レベルの揺れを予測調整する電源回路を追加し、FeRAMの低消費電力で動作する特性とあわせて、従来の不揮発性メモリの8倍となる世界最速の1.6GB/secの転送速度を実現したという。

　製造プロセスは130nm CMOS、容量は128Mbit、セルサイズは0.252平方μm、データ転送速度は1.6GB/sec、電源電圧は1.8V。

　DDR2インターフェイスを搭載し、既存のシステムの性能向上や低消費電力化が可能。今後は、メインメモリとして携帯電話などのモバイルデバイスへの搭載や、モバイルPC、SSDなどのキャッシュへの使用を見込む。

　詳細については米国で開催中のISSCCで11日(現地時間)に発表される予定。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□プレスリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_02/pr_j0901.htm

(2009年2月9日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]