Intel-Micron連合が開発した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真。左が2015年3月25日(米国時間)に報道機関向けに発表したもの。右が同年12月7日(米国時間)にIEDM 2015で公表したもの。縦積みしたメモリセルの層数は32層である

Intel-Micron連合が開発した3D NANDフラッシュメモリのシリコンダイ写真。左が2015年3月25日(米国時間)に報道機関向けに発表したもの。右が同年12月7日(米国時間)にIEDM 2015で公表したもの。縦積みしたメモリセルの層数は32層である