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パルス対励起と期待される超高速相変化反応プロセス。P1とP2の時間差はマイケルソン干渉計により10fsの精度で変化する
ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発
2014年12月22日
Micron、512Mbitの相変化メモリをサンプル出荷開始
2012年12月12日
【ISSCC 2012レポート】相変化メモリが記憶容量でDRAMを追い抜く
2012年2月21日
【MemCon 2009レポート】「相変化メモリはNANDフラッシュに勝てない」、Numonyxが断言
2009年6月25日
IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現
2016年5月18日