メモリセルストリングのしきい電圧ばらつきとその補正。左はメモリセルストリングスの構造概念。上層から下層に行くにしたがって孔が細くなり、電界が上昇する。右はしきい電圧の変化。右上はプログラム電圧と消去電圧が逆方向にずれている。右下はしきい電圧のずれを補正した結果
