東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術(12/16)

第1世代(24層～32層)の成膜工程における課題と、第2世代(48層以上)における成膜工程の課題。Applied Materialsが2014年7月に公表した資料から引用した