SanDiskが2012年2月に公表した24層、MLC方式の3D NAND技術。セルストリングスの断面観察像と、MLC方式によるしきい電圧のばらつきを示した

SanDiskが2012年2月に公表した24層、MLC方式の3D NAND技術。セルストリングスの断面観察像と、MLC方式によるしきい電圧のばらつきを示した