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成膜技術とエッチング技術におけるプレーナ技術と3D NAND技術の違い。出典:Applied Materials
連載福田昭のセミコン業界最前線
本格化する3D NANDフラッシュの量産競争
2015年4月1日
IntelとMicron、1ダイあたり48GBを実現する3D NAND
2015年3月27日
東芝とSanDisk、世界初の48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリ
2015年3月26日
Samsung、第2世代の128Gbit 3D NANDフラッシュの技術概要を公表
2015年3月5日
ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
2012年10月23日
【VLSI 2009レポート】東芝、SSDの大幅なコスト削減を可能にするNANDフラッシュを試作
2009年6月17日
サンディスク、3bit TLCで48層の新3D NAND
2015年8月4日
東芝、NANDフラッシュとSSDの開発戦略をFMSで公表
2015年8月13日
SK Hynixの3D NANDフラッシュ開発、2016年に256Gbit品を量産へ
2015年8月18日
暗いトンネルを抜けたNANDフラッシュが描くバラ色の未来
2015年9月10日
東芝、3D NANDメモリ用の新工場を建設
2016年2月2日
