プレーナNAND技術から3D NAND技術へ(続き)。3D NAND技術では、2枚の板状の垂直なストリングを並べていくことでメモリセルアレイの積層構造を形成する。メモリセルアレイ層の端部は階段状になり、階段の各段でコンタクトホールを通じて電気的に接続する。出典:Applied Materials

プレーナNAND技術から3D NAND技術へ(続き)。3D NAND技術では、2枚の板状の垂直なストリングを並べていくことでメモリセルアレイの積層構造を形成する。メモリセルアレイ層の端部は階段状になり、階段の各段でコンタクトホールを通じて電気的に接続する。出典:Applied Materials