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Micronにおける最先端NANDフラッシュメモリ技術の現状。 Micronが2015年2月11日に公表した資料から抜粋
IntelとMicron、1ダイあたり48GBを実現する3D NAND
2015年3月27日
東芝とSanDisk、世界初の48層積層プロセス採用3次元フラッシュメモリ
2015年3月26日
Samsung、第2世代の128Gbit 3D NANDフラッシュの技術概要を公表
2015年3月5日
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
2013年8月19日
連載福田昭のセミコン業界最前線
ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
2012年10月23日
東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術
2015年4月2日
Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発
2015年7月29日
サンディスク、3bit TLCで48層の新3D NAND
2015年8月4日
SK Hynixの3D NANDフラッシュ開発、2016年に256Gbit品を量産へ
2015年8月18日
暗いトンネルを抜けたNANDフラッシュが描くバラ色の未来
2015年9月10日
ついにベールを脱いだIntel-Micron連合の超大容量3D NAND技術
2015年12月10日
