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今回開発した3D NAND技術によるTLC方式メモリセルのプログラム動作
連載福田昭のセミコン業界最前線
本格化する3D NANDフラッシュの量産競争
2015年4月1日
東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術
2015年4月2日
Samsung、48層MLCの256Gbit V-NANDを生産開始
2015年8月12日
ついにベールを脱いだIntel-Micron連合の超大容量3D NAND技術
2015年12月10日
プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ
2016年2月5日
