4μmと薄いシリコンウェハの製造工程。集積回路(DRAM回路)を形成したシリコンウェハの表面にガラスのウェハを貼り付けて、裏面を削って薄くする。薄くなったシリコンウェハの裏面に接着材を介してベースとなるシリコンウェハ(支持体)を貼り付ける。それからガラスのウェハを取り外す。それから、ウェハプローブによってDRAM回路の性能を測定した

4μmと薄いシリコンウェハの製造工程。集積回路(DRAM回路)を形成したシリコンウェハの表面にガラスのウェハを貼り付けて、裏面を削って薄くする。薄くなったシリコンウェハの裏面に接着材を介してベースとなるシリコンウェハ(支持体)を貼り付ける。それからガラスのウェハを取り外す。それから、ウェハプローブによってDRAM回路の性能を測定した