試作したDRAMスタックのシリコンダイ写真(左)とTSV電極部分の断面写真(右上)、シュム(Shmoo)プロット(右下)。シリコンダイの寸法は6.25×6mm。25nmプロセスで製造した。シリコンダイ当たりの記憶容量は4Gbit
