東芝のNAND型フラッシュメモリに関する説明。最先端の19nmプロセスで、1セルあたり3bitの情報を記録するTLC NANDを製造している。また、多段パッケージ技術により、64Gbitチップを16段積層することで、1パッケージで128GBの実現が可能だ
