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磁壁(Domain wall)の移動速度(縦軸)と電流密度(横軸)の関係。電流密度を上げると磁壁の移動速度が高まる(発表番号DC-01)
理研ら、次世代メモリに向けた磁気構造の制御法を理論的に解明
2013年9月9日
製品化されたスピン注入メモリの技術概要をEverspinが公表
2013年1月21日
連載福田昭のセミコン業界最前線
ついに製品化が始まったスピン注入メモリ
2012年11月27日
【IEDM 2011レポート】IBMの最終兵器「レーストラック・メモリ」が登場
2011年12月15日