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MRAMセルの基本構造と動作原理。左が初期型のMRAM、右がスピン注入メモリ(STT-MRAM)
理研ら、次世代メモリに向けた磁気構造の制御法を理論的に解明
2013年9月9日
CMOSデジタル回路の次を狙うナノ磁気デジタル回路
2013年1月29日
連載福田昭のセミコン業界最前線
ついに製品化が始まったスピン注入メモリ
2012年11月27日
【Intermag 2012レポート】垂直磁気でNANDフラッシュ超えを目指すスピン注入メモリ
2012年5月11日
次世代磁気メモリ「STT-RAM」の行方
2011年8月8日
【IEDM 2010レポート】スピン注入メモリの開発に本腰を入れ始めた韓国メモリ大手
2010年12月8日
東北大と京大、HDDの超高密度化が期待できる反強磁性体スピントルク磁気メモリを実証
2018年10月19日
