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近年のISSCCで発表されたDRAMと相変化メモリの記憶容量
32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ
2013年2月21日
筑波大と産総研、相変化記録を1,000倍以上高速化する仕組を解明
2015年9月28日
IBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現
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