トップ電極とボトム電極の金属材料を変更したことによる効果。左上はトップ電極とボトム電極がともにルテニウム(Ru)の場合(対称電極構造)。左下はボトム電極を窒化チタン(TiN)あるいはタングステン(W)に変更した場合(非対称電極構造)。低抵抗状態(LRS)で逆バイアスを与えたときのデータ保持特性が大きく違ってくる。右上は対称電極構造の記憶素子に順方向バイアスと逆方向バイアスを加えたときの抵抗変化。右下は非対称電極構造(ボトム電極はタングステン)の記憶素子に順方向バイアスと逆方向バイアスを加えたときの抵抗変化。温度は175℃、バイアス電圧は0.8V

トップ電極とボトム電極の金属材料を変更したことによる効果。左上はトップ電極とボトム電極がともにルテニウム(Ru)の場合(対称電極構造)。左下はボトム電極を窒化チタン(TiN)あるいはタングステン(W)に変更した場合(非対称電極構造)。低抵抗状態(LRS)で逆バイアスを与えたときのデータ保持特性が大きく違ってくる。右上は対称電極構造の記憶素子に順方向バイアスと逆方向バイアスを加えたときの抵抗変化。右下は非対称電極構造(ボトム電極はタングステン)の記憶素子に順方向バイアスと逆方向バイアスを加えたときの抵抗変化。温度は175℃、バイアス電圧は0.8V